基于0.25μm MS/RF CMOS工艺的光电单片集成接收机设计

设计了一种单片集成的光电接收机芯片.在同一衬底上制作了基于同一工艺的光电二极管与接收机电路,以消除混合集成引入的寄生影响.这种单片集成接收机采用了先进的深亚微米MS/RF(混合信号/射频)CMOS工艺,利用这种新型工艺提供的新技术对原有光电二极管进行了改进,使其部分性能显著改善,并对整个光电集成芯片性能的提高有所帮助.     

射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数的提取

从有理分式拟合方法出发,提出了用于射频CMOS平面螺旋电感2-π等效电路模型参数提取的新方法.通过比较提参后等效电路给出的S参数和实验测量的S参数,证明该方法的精度很高.此外,提参的策略非常直接,因此容易在CAD里面编程实现.提参得到的等效电路模型对于射频电路设计者来说也是非常有用的.     

用于细胞外电信号测量的CMOS集成生物 传感芯片的研究

新型的细胞外电信号传感芯片是采用0.6 μm标准CMOS工艺设计制造,片上集成了6×6单元有源传感阵列、模拟多路选择器、输出缓冲器、参考源和数字控制电路.有源传感单元面积为60μm×60μm,包含15μm×15μm的传感电极和预处理电路,能够线性放大幅值范围100μV～25 mV的微小信号,电压增益为40dB.并采用相关二次采样工作模式降低固定模式噪声,提高传感器的精度.在标准CMOS工艺基础上,应用无电浸镀金改进传感电极的生物兼容性,并采用特殊封装技术提高芯片在溶液环境中的稳定性.溶液中模拟生物信号测量验证了该芯片的功能.     

一种基于遗传算法的VDSM IC电源网格动态IR-drop分析新方法

提出了一种用于超深亚微米集成电路电源网格IR-drop验证的新方法.该方法以遗传算法为基础,与已有的分析方法相比,该方法兼具静态IR-drop分析法和动态IR-drop分析法的优点,适用于包含大型组合模块的超大规模集成电路,可主动寻找电路中最大IR-drop.通过对ISCAS85电路实现的验证,发现了静态分析法不能发现的芯片边缘IR-drop问题.实验结果验证了该方法的正确性与有效性.     

多传感器同步图像采集系统的设计

提出了一种宽带宽、灵活的和可伸缩的多传感器同步图像采集系统的结构.设计了二进制树型拓扑结构传播统一的系统时钟和触发信号,采用CPLD提供传感器间的精确时序和同步.结构中的所有摄像机采用CMOS图像传感器采集图像.可以控制图像的尺寸、帧率以及摄像机之间的曝光顺序.为了适应不同应用对传输带宽和图像质量的不同要求,采用DSP加多种压缩算法对图像进行处理和压缩.来自所有摄像机的图像数据通过USB2.0总线采用同步传输模式传送到PC进行存储.给出了部分实现.     

A 2.4GHz Low Power ASK Transmitter for Wireless Capsule Endoscope Applications

提出了一种应用于无线内窥镜系统的2.4GHz低功耗ASK发射机.为了获得高的数据传输速率,采用了基于混频器的直接上变换发射机结构.为了节省功耗,提出了一种基于电流复用技术的伪差分堆栈结构的A类功放.低功耗发射机由两部分组成:基于恒幅度锁相环(PLL)的20MHz的ASK基带调制器和直接上变换的射频电路.该设计已经采用TSMC 0.25μm CMOS工艺实现并进行了验证.测试结果表明,发射数据速率为1Mbps时,发射机的输出功率为-23.217dBm.采用单2.5V的电源供电下,低功耗发射机消耗的电流约为3.17mA.     

基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路

研究了基于扇形MAGFET同步取样模式的CMOS磁敏传感器集成电路,并由0.6μm CMOS工艺实现.该CMOS磁敏传感器集成电路以共源极的扇形分裂漏磁敏MOS管作为磁敏传感单元,使磁敏传感器在参考工作模式和测量工作模式下实现同步取样,测量垂直磁场的同时,实现了在屏蔽磁场的参考工作模式下对磁敏传感信号进行噪声校正的功能.经过集成电路芯片的测试验证,同步取样模式具有较好的噪声校正功能,工作频率为20 kHz时,磁敏传感器的灵敏度为2.62 V/T.     

CMOS图像传感器用于网络摄像机的设计

以网络摄像机为应用背景,介绍了OmniVision公司两款CMOS图像传感器芯片的参数、接口和通信协议,结合网络摄像机的开发环境,给出了芯片与嵌入式CPU的硬件连接、PCB布局和调试经验,以及选择两款芯片的注意事项,并示例详细说明了用软件设置芯片有关寄存器的方法。分析了用CMOS图像传感器替代CCD图像传感器做网络摄像机视频前端的优势和可行性。     

LSI中的CMOS运算放大器的设计

利用CSMC0.6μmCMOS工艺实现了一个用于LSI中的CMOS运算放大器,整个设计利用SPICE软件进行系统模拟,利用九天(Zeni)工具进行了版图设计和验证,最后已通过东南大学MPW(multi-project-wafer)进行了流片.此放大器增益为72.9dB,单位增益带宽为10.2MHz,±1.65V电源供电,功耗小于0.5mW,整个芯片面积为0.5mm×0.5mm.     

CMOS有源图像传感器的最新研究进展

由于CMOS有源图像传感器在单片集成、系统功耗、价格以及微型化方面都大大优于CCD,近年来得到较快进展,特别是其抗辐射的性能,使其在空间应用方面尤其具有优势.介绍了CMOS有源图像传感器的原理、性能和研究进展,重点介绍了在空间领域,特别是星敏感器中的研究进展和应用现状.